Sample stage에 맞지 않은 너무 큰 substrate를 올려 놓았던 것이 화근이었다.
증착이 완료된 substrate를 chamber에서 loadlock으로 옮길 때 substrate가 chamber 내부로 떨어졌다.
결국 sputter 내부 전체를 vent해서 (질소 공급) 기판을 꺼내야 했다.
기판을 꺼낸 김에 여러가지 잡업들을 했다.
target (아래), copper plate(위) |
target (삿포질로 박막을 벗겨낼 필요가 있다) |
위 그림 이미지는 target이다. target의 재료를 플라즈마화시켜 기판 위로 증착시키는 것이다. target을 잘 보면 gun이 만드는 전자기장으로 인해 전자가 때리는 위치를 알 수 있다. 전자는 target을 골고루 때리는 것이 아니고 target의 특정 부분을 때린다.
전원공급장치 (gun4) |
target 교체 작업이 끝나면 gun에 제대로 전압이 인가되는가를 확인할 필요가 있다.
당연히 Ar 가스를 주입하지 않은 상태임으로 mA 값은 0이다.
gun 1과 gun2 의 경우 10 V, 9 V 가 걸렸다.
그런데 gun4의 경우 인가 전압이 0 V 였다.
anode와 cathode 사이에 전압이 걸리지 않았다는 것이다.
gun과 target을 잘 조정하니 위 그림과 같이 gun4도 전압이 10V 걸리는 것을 확인하였다.
만약 gun4도 제대로 작동했다면 이 확인법의 중요성을 몰랐을 것이다 ㅋㅋ
target과 gun이 제대로 장착되어있는지 확인도 안하고 다시 진공잡았다가 문제생긴 것을 나중에야 발견한다면 진공뺴고 잡는 것을 다시 처음부터 해야한다
chamber 를 연 모습 |
두개의 벤츠를 사용해서 chamber를 연다. 앞뒤로 열면 된다. 열때 나사는 반시계방향으로 돌리고 잠글 때 나사는 시계방향으로 돌린다. |
chamber 내부에서 본 loadlock. 중앙부분에 sample stage가 있는 것을 볼 수 있다. |
21년 3월 3일 추가
>> load lock과 chamber 사이를 잇는 gate를 열기 전 ion gauge를 확인하는 것을 습관화 하자! (tmp 로 진공 안잡았는데 열어버리면 큰일남!)
>> gun에 전압을 인가하기 전에 working pressure가 몇 Torr인지 확인하자.
위 두 가지 과정을 거치는것이 다음과정으로 넘어가는데 타당성을 확보할 수 있다. 위 두 가지 과정을 습관화하면 큰 주의를 가지지 않고서도 문제 없이 sputtering을 할 수 있다.
No comments:
Post a Comment